三星内存卡量产工具(三星内存卡哪里生产的)

星辰博客 来源:互联网 °C 栏目:IT教程
三星内存卡量产工具 (三星内存卡量产工具怎么用)

IT之家 11 月 7 日消息,虽然还没有发布任何实际产品,但三星电子现宣布已经开始 大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯 片,该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。

新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度,当搭配高端主控使用时,它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。

据介绍,第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度,不过他们称之为业界最高的比特密 度。

三星声称,与现有相同容量的闪存芯片相比,其新一代 3D NAND 闪存可提高提高 20% 的单晶生产率,从而进一步降低了成本(在良率相同的情况下) ,这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。

该公司没有透露新品架构,但根据提供的图像 ,我们可以假设这是一种双平面 3D NAND 芯片 。

三星电 子闪存产品与技术执行副总裁 SungHo i Hur  表示:“由于市场对更 密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数,三 星采用了先进的 3D 压缩技术,以减少表面积和高度,同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求,并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案,这将是未来存储创新的基础。”

 

今年年年,三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品。在此之前,该公司目前为 V-NAND 提供  512 Gb 三级单元 (TLC) 产品 。

此外,第五代 DRAM 产品将是 10nm (1b) 器件,将于 2023 年进入量产阶段。IT之家了解到,三星即将推出的其它 DRAM 解决方案还包括 32 Gb DDR5 解决 方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 3 6  Gbps  GDDR7 DRAM。

三星对其 V-NAND 声称,到 2030 年,它将打造出 1000 层 的 V-NAND。为了实现这一目标,三星正在从 其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 (QLC)  架构,以提高密度并启用更多层。

三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源,研究新的架构和材料,例如 High-K, 以帮助将 DRAM  扩展到 10nm 以上。该公司打算进一步开 发其它 DRAM 解决方案,例如内存处理  (PIM)。